PENGLIN 50 Stück AO3400 N Kanal Feldeffekttransistor und AO3401 P Verstärkungsmodus Feldeffekt, A09T A19T MOSFET Transistoren, SOT-23.
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Ein Feldeffekttransistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement, das den ID (Drain-Strom) über die VGS (Gate-Source-Spannung) steuert; Der Eingangsstrom eines Feldeffekttransistors ist sehr gering, daher ist sein Eingangswiderstand sehr hoch. Da er die Leitfähigkeit der Majoritätsträger nutzt, weist er eine gute Temperaturstabilität auf; Der Spannungsverstärkungsfaktor einer aus Feldeffekttransistoren bestehenden Verstärkerschaltung ist geringer als der einer aus Bipolartransistoren bestehenden Verstärkerschaltung; Feldeffekttransistoren sind sehr strahlungsbeständig; da kein Rauschen durch die Diffusion von Minoritätsträgern mit ungeordneter Bewegung entsteht, ist das Rauschen gering.
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Ein Feldeffekttransistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement, das den ID (Drain-Strom) über die VGS (Gate-Source-Spannung) steuert; Der Eingangsstrom eines Feldeffekttransistors ist sehr gering, daher ist sein Eingangswiderstand sehr hoch. Da er die Leitfähigkeit der Majoritätsträger nutzt, weist er eine gute Temperaturstabilität auf; Der Spannungsverstärkungsfaktor einer aus Feldeffekttransistoren bestehenden Verstärkerschaltung ist geringer als der einer aus Bipolartransistoren bestehenden Verstärkerschaltung; Feldeffekttransistoren sind sehr strahlungsbeständig; da kein Rauschen durch die Diffusion von Minoritätsträgern mit ungeordneter Bewegung entsteht, ist das Rauschen gering.
Ein Feldeffekttransistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement, das den ID (Drain-Strom) über die VGS (Gate-Source-Spannung) steuert; Der Eingangsstrom eines Feldeffekttransistors ist sehr gering, daher ist sein Eingangswiderstand sehr hoch. Da er die Leitfähigkeit der Majoritätsträger nutzt, weist er eine gute Temperaturstabilität auf; Der Spannungsverstärkungsfaktor einer aus Feldeffekttransistoren bestehenden Verstärkerschaltung ist geringer als der einer aus Bipolartransistoren bestehenden Verstärkerschaltung; Feldeffekttransistoren sind sehr strahlungsbeständig; da kein Rauschen durch die Diffusion von Minoritätsträgern mit ungeordneter Bewegung entsteht, ist das Rauschen gering.