PENGLIN 100 Stück AO3401 P Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekt SMD A19T MOSFET Transistoren, SOT 23.
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VDS(V):30V ID:4.2A RDS(ON)‹50mΩ Hochdichtes Zelldesign für extrem niedrigen Durchlasswiderstand Geringe Gate-Ladung HINWEIS: Eine längere Einwirkung der absoluten Höchstwerte kann die Zuverlässigkeit des Bauteils beeinträchtigen. Verwendung in Hochfrequenzanwendungen wie HF-Verstärkung, Signalverarbeitung und Energiemanagementanwendungen.
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VDS(V):30V ID:4.2A RDS(ON)‹50mΩ Hochdichtes Zelldesign für extrem niedrigen Durchlasswiderstand Geringe Gate-Ladung HINWEIS: Eine längere Einwirkung der absoluten Höchstwerte kann die Zuverlässigkeit des Bauteils beeinträchtigen. Verwendung in Hochfrequenzanwendungen wie HF-Verstärkung, Signalverarbeitung und Energiemanagementanwendungen.
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