SANDISK Ultra SDXC UHS I Karte 128 GB (bis zu 195 MB/s Lesegeschwindigkeit, Full HD Video, V10, U1, C10) Memory Zone App
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Beschreibung
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VERPASSEN SIE NIE WIEDER EINEN BESONDEREN MOMENT. Dank herausragend schneller Videoaufzeichnung können Sie die wichtigsten Erinnerungen in Full HD festhalten. PLATZ FÜR JEDE AUFNAHME. Mit einer Kapazität von bis zu 512 GB können Sie unzählige Fotos und stundenlange Full-HD-Videos aufnehmen, ohne die Karte wechseln zu müssen. MEHR ZEIT, MEHR ERINNERUNGEN. Sparen Sie Zeit mit Lesegeschwindigkeiten von bis zu 195 MB/s [Modelle mit 128 GB bis 512 GB] in Verbindung mit einem SANDISK QuickFlow SD UHS-I-Kartenleser mit USB-A-Anschluss (separat erhältlich). So können Sie Ihre Dateien schnell übertragen und sich auf Ihre nächste Aufnahme vorbereiten. EXTREM ROBUST. Ihre Karte wurde getestet, um Ihren Abenteuern standzuhalten – sie ist wasserdicht, temperaturbeständig, röntgensicher, sturzsicher, magnetbeständig, feuchtigkeitsbeständig, verschleißfest und stoßfest. LANGLEBIGE ZUVERLÄSSIGKEIT. Unsere branchenführende eigene NAND-Produktion basiert auf proprietären Flash-Management-Verfahren.
VERPASSEN SIE NIE WIEDER EINEN BESONDEREN MOMENT. Dank herausragend schneller Videoaufzeichnung können Sie die wichtigsten Erinnerungen in Full HD festhalten. PLATZ FÜR JEDE AUFNAHME. Mit einer Kapazität von bis zu 512 GB können Sie unzählige Fotos und stundenlange Full-HD-Videos aufnehmen, ohne die Karte wechseln zu müssen. MEHR ZEIT, MEHR ERINNERUNGEN. Sparen Sie Zeit mit Lesegeschwindigkeiten von bis zu 195 MB/s [Modelle mit 128 GB bis 512 GB] in Verbindung mit einem SANDISK QuickFlow SD UHS-I-Kartenleser mit USB-A-Anschluss (separat erhältlich). So können Sie Ihre Dateien schnell übertragen und sich auf Ihre nächste Aufnahme vorbereiten. EXTREM ROBUST. Ihre Karte wurde getestet, um Ihren Abenteuern standzuhalten – sie ist wasserdicht, temperaturbeständig, röntgensicher, sturzsicher, magnetbeständig, feuchtigkeitsbeständig, verschleißfest und stoßfest. LANGLEBIGE ZUVERLÄSSIGKEIT. Unsere branchenführende eigene NAND-Produktion basiert auf proprietären Flash-Management-Verfahren.
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