8GB PC3-12800 DDR3-1600MHz non-ECC Unbuffered CL11 Chiphersteller:SamsungChiporganisation:512Mx8Datenintegritätsprüfung:non-ECCForm Faktor:SO-DIMM 204pinGeschwindigkeit:1600 MHz (PC3-12800)Jedec-Norm:Jedec NormKapazität:8GBLatenzzeit:CL11Modulhersteller:SamsungRAM-Merkmale:unbufferedTechnologie:DDR3 SDRAMVersorgungsspannung:1.35 V M471B1G73QH0-YK0 204PIN 16C/DS 2R 1,35V 1,18' Pb-/Halogen-free RoHS PC3-12800 2Y RAM SO-DIMM DDR3L 8GB / PC1600 /UB/ Samsung***
AmazonSpeichergröße: 8192MB Taktfrequenz: 200MHz Speicherriegel: 1 ECC: Nein
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