Micron MTA4ATF51264HZ-2G6E1, 4 GB, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM

Speicherkapazität:4 GBInterner Speichertyp:DDR4Memory Formfaktor:260-pin SO-DIMMECC:JaSpeichertaktfrequenz:2666 MHzSpeicherspannung:1.2 V Allgemeine InformationenHersteller:Micron Technology, IncHersteller-Artikelnummer:MTA4ATF51264HZ-2G6E1Hersteller-Webseite:Marke:MicronProduktbezeichnung:4GB DDR4 SDRAM ArbeitsspeicherProdukttyp:RAM-ModulTechnische InformationenSpeichergröße:4 GBSpeichertechnologie:DDR4 SDRAMSpeicherspannung:1,20 VSpeichergeschwindigkeit:2666 MHzSpeicherstandard:DDR4-2666/PC4-21300Speicherfehlerüberprüfung:Nicht-ECCSignalverarbeitung:UngepuffertCAS-Latenz:CL19Abmessungen / Gewicht / FarbeAnzahl Nadeln:260-PinFormfaktor:SoDIMMVerschiedenesEinhaltung von Umweltvorschriften:Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Kapazität: 4 GB Speichertyp: DDR4 SDRAM, SO-DIMM 260-Pin Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300) Spannung: 1,2 V RoHS-konform, halogenfrei