Speicherkapazität:4 GBSpeicherlayout (Module x Größe):2 x 2 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMGepufferter Speichertyp:Unregistered (unbuffered)CAS Latenz:9Speichertaktfrequenz:1600 MHzSpeicherkanäle:ZweikanaligSpeicherspannung:1.5 VSPD profil:JaVerpackungsart:SO-DIMM G.Skill 4GB DDR3-1600 SQ. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 4 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 2 x 2 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz, Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 9MerkmaleGepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered)RAM-Speicher4 GBSpeicherlayout (Module x Größe)2 x 2 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürNotebookMemory Formfaktor204-pin SO-DIMMECCNeinCAS Latenz9SpeicherkanäleDual-channelSpeicherspannung1,5 VSPD profilJaVerpackungsdatenVerpackungsartSO-DIMM SO-DIMM DDR3-1600 Kit Arbeitsspeicher Dieses G.Skill Dual-Channel Kit besteht aus zwei 2-GB-DDR3-1600-Speichermodulen in SO-DIMM-Bauform (PC3-12800). Die Gesamtkapazitä
AlternateDieses G.Skill Dual-Channel Kit besteht aus zwei 2-GB-DDR3-1600-Speichermodulen in SO-DIMM-Bauform (PC3-12800). Die Gesamtkapazität beträgt 4 GB. Die Module sind auf Latenzen von 9-9-9-28 bei 1600 MHz programmiert und verfügen über vergoldete Kontakte.
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