Drain-Source-Spannung : 40 V, kontinuierlicher Drain-Strom Id : 60 A, kontinuierlicher Drain-Strom (TC=100℃) Id : 42 A, maximale Verlustleistung 65 W, Drain-Source-Einschaltwiderstand Rds(on) : 13 mΩ. NCE4060K ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-SMD-Gehäuse, geeignet für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- und Schaltszenarien. Dieses Produkt eignet sich für Anwendungen wie Motorantrieb, Energieverwaltung, Batterieschutz, LED-Dimmen, Boost-/Buck-Module und elektronische Lastschalter. Es verwendet hochspannungs- und temperaturbeständige Siliziumchips und eine Verpackungsstruktur mit geringem Innenwiderstand, um hocheffiziente Schaltlösungen mit geringem Wärmestrom bereitzustellen. Jedes Set enthält 10 NCE4060K-MOSFETs, was für den Einsatz in mehreren Szenarien und mehreren Produkten praktisch ist.
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