IRF3708-MOSFET-Transistoren : Enthält 10 leistungsstarke IRF3708-N-Kanal-MOSFET-Transistoren, geeignet für verschiedene Anwendungen mit elektronischen Komponenten. N-Kanal-Design : Verfügt über eine N-Kanal-Polarität mit TO-220-Gehäuse und einem 2,54-mm-Pin-Abstand für die einfache Integration in elektronische Schaltkreise. Hohe Spannungs- und Stromhandhabung : Maximale Drain-Source-Spannung von 30 V, Gate-Source-Spannung von ±12 V und kontinuierlicher Drain-Strom von bis zu 62 A, wodurch es ideal für Hochstromanwendungen ist. Niedriger Einschaltwiderstand : Mit einem Einschaltwiderstand von nur 12 m? gewährleistet dieser Transistor minimalen Leistungsverlust und effizienten Betrieb. Großer Betriebstemperaturbereich : Kann unter extremen Bedingungen mit einem Arbeitstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben werden und bietet Zuverlässigkeit in unterschiedlichsten Umgebungen.
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